Il MOSBTS-M è la nostra piattaforma di test di Burn-in e Affidabilità per dispositivi SiC e GaN e moduli di potenza.
Progettata sia per ambienti Front-End che Back-End, consente l’esecuzione di numerosi test diversi, tra cui HTRB, HTGB, H3TRB, DHTOL, LTOL o PTC.
Principali caratteristiche
- Esecuzione di test HTRB, HTGB e Funzionali sulla stessa Burn-in Board
- Possibilità di gestire in parallelo fino a 180 DUT per Burn-in Board
- Lista dei test a parallelismo completo: HTRB/IDSS, HTGB/IGSS, IDSX, BVDSS
- Misurazione multiplex in-situ: Vth, RDSon, Vsd
- Drain PSU Range: [-60V; 2500V] CC, +/-500V CA
- Gate PSU Range: [-60V; 60V]
- Monitoraggio: corrente DUT (A) in tempo reale di tutti i 180 DUT in parallelo (1800 DUT in parallelo durante il Wafer Level Burn-in)
- Intervallo di misura della corrente: [600 nA – 100 uA – 50 mA]
- Precisione di misura della corrente: [6 nA – 1 uA – 250 uA]
- Intervallo di corrente forzata (test parametrico multiplex): fino a 200 mA
- Risoluzione dei log dei tempi di guasto: 1 ms
Modello ad alta tensione
- Intervallo di tensione in uscita: da 0 V a + 2500 V
- Accuratezza impostazione tensione in uscita: 0,05% del valore effettivo + 0,05% del valore nominale
- Intervallo di corrente in uscita: da 0 A a 1,25 A
- Potenza massima in uscita: 3250 W
- Ripple e rumore (p-p, larghezza di banda 20 MHz, senza carico): < 250 mV
Modello a bassa tensione
- Intervallo di tensione in uscita: da 0 V a + 60 V (da – 60 V a + 60 V per la piattaforma destinata al Wafer Level Burn-in)
- Accuratezza impostazione tensione in uscita: ±0,15% della tensione di uscita nominale
- Intervallo di corrente in uscita: da 0 A a 17 A
- Potenza massima in uscita: 1020 W
- Ripple e rumore (p-p, larghezza di banda 20 MHz, senza carico): < 60 mV
Opzioni disponibili per la piattaforma MOSBTS-M destinata al Wafer Level Burn-in
- Numero di stage: Single (soluzione suggerita per obiettivi di Ricerca e Sviluppo) e Multiple (da 2 fino a 10 stage; generalmente ne vengono suggeriti 5 per la produzione di massa)
- Numero di canali per stage: 900 o 1800
- Caratteristiche dei test: Base (inclusi HTRB/AC-HTRB – HTGB/AC-HTGB – IDSX – BVDSS), oppure Base + Parametrici (inclusi Vth, RDSon, Vsd)
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